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Oxygen Enhanced Surface Roughening of Si(111) Induced by Low-Energy Xe+ Ion Sputtering
Oxygen Enhanced Surface Roughening of Si(111) Induced by Low-Energy Xe+ Ion Sputtering
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表面分析と標準化のための国際ワークショップ, iSAS-09,（ポスター講演者のための５分間 ショートプレゼンテーション） 摂南大学 工学部 表面物性工学研究室 学部４年 宮川拓也， （2009.3.15-18，沖縄コンベンションセンター）（4分45秒） |
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The International Workshop for Surface Analysis & Standardization, iSAS-09, 2009.3.15-18, Okinawa
- " P-14 Oxygen Enhanced Surface Roughening of Si(111) Induced by Low-Energy Xe+ Ion Sputtering "
Takuya MIYAGAWA*, Kousuke INOUE, and Masahiko INOUE
会議場の様子
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